আল-15সি-6নি বিমূর্ত: প্রচলিত সাধারণ স্ফটিক আল-সি অ্যালয় সেন্ট্রিফিউগাল ঢালাইয়ে, প্রাথমিক Si কণা, ছিদ্র এবং স্ল্যাগ একই সময়ে অভ্যন্তরীণ স্তরে একত্রিত হবে, শক্তিশালীকরণ প্রভাবকে হ্রাস করবে বর্ধিত স্তরে Si কণার। এই অসুবিধা এড়াতে, খালি হিসাবে Al-15 শতাংশ Si-6 শতাংশ Ni ব্যবহার করুন এবং ভিতরের স্তরে কণা, ছিদ্র এবং স্ল্যাগের গ্রেডিয়েন্ট মিশ্রণ সফলভাবে প্রস্তুত করুন। বিভিন্ন প্রক্রিয়া পরামিতির অধীনে একাধিক নমুনার বিশ্লেষণ দেখায় যে কেন্দ্রাতিগ বল ক্ষেত্রে, কণাগুলি কম ঘন প্রাথমিক স্ফটিক সি কণাগুলিকে বাইরের স্তরে একসাথে ঠেলে দেবে, বাইরের স্তরে উচ্চ আয়তনের ভগ্নাংশ সহ একটি গ্রেডিয়েন্ট যৌগিক উপাদান তৈরি করবে। ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ফিল্ডের প্রয়োগ কার্যকরভাবে প্রাথমিক কণার আনুগত্য এবং সংমিশ্রণ হ্রাস করে এবং দানাগুলিকে পরিমার্জিত করে। (1) প্রতিটি নমুনার বিভিন্ন ডিগ্রি ছিদ্র এবং স্ল্যাগ ক্লিপ রয়েছে ঢালাইয়ের ছিদ্র এবং স্ল্যাগগুলি প্রধানত সেন্ট্রিফিউগাল গঠন প্রক্রিয়ায় কার্গাস এবং অক্সিডেশন থেকে আসে। ঢালাইয়ের দৃঢ়ীকরণের সাথে, জড়িত গ্যাসের বৃষ্টিপাত, তার ছোট ঘনত্বের কারণে, ঢালাইয়ের অভ্যন্তরীণ স্তরের সাথে স্ল্যাগের সাথে একত্রে পক্ষপাতদুষ্ট হবে, এইভাবে ভিতরের অঞ্চলে একটি ত্রুটির স্তর তৈরি করবে, যেমনটি d এবং e-তে দেখানো হয়েছে। চিত্রে দেখানো অঞ্চলগুলি।(2) চৌম্বক ক্ষেত্রের হস্তক্ষেপ কণার আনুগত্য হ্রাস করতে সহায়ক। চিত্রের চিত্র 4-1-এ দেখানো হয়েছে, কণাগুলি স্পষ্টভাবে একটি চৌম্বক ক্ষেত্র ছাড়াই একটি সমষ্টি আকার দেখায়। চৌম্বক ক্ষেত্রের হস্তক্ষেপ এবং চৌম্বক ক্ষেত্রের বৃদ্ধির সাথে, কণার সমষ্টি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়, যেমনটি চিত্র চিত্রে দেখানো হয়েছে 4-2,4-3,4-4। (3) কণাগুলি বাইরের স্তরে মেরুকরণের প্রবণতা দেখায়। কেন্দ্রাতিগ বলের অধীনে, কণাগুলি বাইরের স্তরের দিকে মেরুকরণের একটি স্পষ্ট প্রবণতা দেখায় এবং কেন্দ্রাতিগ গতির সাথে, চিত্র 4-5,4-3,4-6, অঞ্চলে a, b, c। 4-7,4-8।(4) ত্রুটিযুক্ত এলাকা থেকে কণা বর্ধিতকরণ এলাকা আলাদা করা। ঢালাইয়ের বাইরের স্তর (a, b, c এলাকা) বড় কণার কারণে কণা বর্ধিত এলাকা বলা হয়; ঢালাইয়ের অভ্যন্তরীণ স্তরে (d, e এলাকা) প্রচুর ছিদ্র, স্ল্যাগ এবং ছোট কণা রয়েছে, যাকে ত্রুটিযুক্ত এলাকা বলা হয়।
2.3 আণুবীক্ষণিক সংস্থার উপর চৌম্বক ক্ষেত্রের প্রভাব চিত্র 7-9 হল নমুনা স্তরগুলির 1000 r/min এবং বর্তমান তীব্রতা 0, 1.5A এবং 2A-তে সাধারণ মাইক্রোস্কোপিক সংগঠন। এর মধ্যে কালো ব্লক, Si এবং হালকা ধূসর বার, ব্লক ব্লক, NiAl3 এবং সাদা -Al টিস্যু রয়েছে। প্রাথমিক স্ফটিক, Si এবং NiAl3 মূলত একত্রিত হয়, একে অপরের সাথে একত্রিত হয় এবং মোড়ানো হয়। যখন কোন বাহ্যিক চৌম্বক ক্ষেত্র থাকে না (অর্থাৎ, বর্তমান 0), বাইরের নমুনার প্রাথমিক Si ছোট হয়, ভিতরের স্তরের প্রাথমিক Si বাইরের স্তরের চেয়ে বড় হয়, মধ্যবর্তী স্থানান্তর স্তর কণার আকার ভেতরের মধ্যে থাকে এবং বাইরের স্তরে, প্রাথমিক Si কণাগুলি প্রধানত প্রতিটি স্তরে ব্লক থাকে এবং প্রাথমিক NiAl3 কণাগুলি প্রতিটি স্তরে স্পষ্ট নয়, প্রধানত ব্লক এবং বিভিন্ন আকারের লম্বা স্ট্রিপ। চৌম্বক ক্ষেত্র যোগ করার পরে, নমুনার প্রতিটি স্তরের Si এবং NiAl3 বিভিন্ন ডিগ্রিতে পরিমার্জিত হয়েছিল। যখন চৌম্বক ক্ষেত্রের শক্তি ছোট হয় (বর্তমান 1.5A), প্রাথমিক স্ফটিক Si কণাগুলি ছোট হয়ে যায়, ধারালো ব্লক থেকে বৃত্তাকার ব্লকে পরিবর্তিত হয়। প্রাথমিক স্ফটিক NiAl3 এছাড়াও বিভিন্ন ডিগ্রী পরিমার্জিত হয়, এবং ব্লক ছোট হয়ে যায়, এবং দীর্ঘ ফালা ব্লকে ভাঙ্গা হয়। যখন চৌম্বক ক্ষেত্রের শক্তি বড় হয় (বর্তমান 2A), প্রতিটি স্তরের প্রাথমিক Si এবং NiAl3 আর পরিমার্জিত হয় না, এমনকি প্রাথমিক Si এবং NiAl3 কণাগুলিও বড় হয়ে যায়, প্রাথমিক Si ব্লকগুলি আরও বড় হয় এবং প্রাথমিক NiAl3 স্ট্রিপগুলি আরও বেশি হয়ে যায়। বড়
